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> 离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究
离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究
离子束溅射生长非晶Si薄膜的研究
资料类型:
PDF文件
关键词:
离子束溅射
非晶硅
喇曼散射
电阻率
资料大小:
128K
所属学科:
分子表征
来源:
2004年第五届中国功能材料及其应用学术会议(9.12-9.16,北京.秦皇岛)
简介:
用离子束溅射法制备了不同衬底温度的非晶硅(a-Si)薄膜,用双四探针法测量了不同温度下的电阻率,用喇曼散射及原子力显微镜表征了薄膜显微结构。结果发现随着衬底温度的升高,薄膜的电阻率逐渐增大,衬底温度为室温的a-Si薄膜质量较好且从其表面形貌可观察到少量Si晶粒的存在。
作者:
邓书康 陈刚 高立刚 陈亮 俞帆 方静华 杨宇
上传时间:
2007-07-13 14:50:06
下载次数:
643
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